Единичный дефект: единичный дефект | Перевод единичный дефект?

Содержание

Единичный дефект — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Cтраница 3

При отработанной почти конвейерной автоматической и ручной технологии сварки магистральных трубопроводов появление дефектов следует считать событием случайным. Определяют также долю брака Б как показателя доли элементов, имеющих недопустимые дефекты. Размеры единичных дефектов имеют следующие обозначения: Д с ( Д /) — по оси X; АУ ( АЬ) — по оси У; Аг ( Д / г) — по оси Z; Д — наибольший характеристический размер; Д5 — площадь дефекта.
 [31]

Дефект в виде прямолинейной продольной, различной протяженности и глубины, тонкой трещины, образовавшейся при раскат Кв ( расковке) наружного или подповерхностного газового пузыря слитка или литой заготовки. Дефект часто располагается группами. Иногда встречаются единичные дефекты.
 [32]

Зависимость числа пор от долго.
 [33]

Допустимый срок эксплуатации элементов энергооборудования, например трубопроводов, определяет степень поврежден-ности. Процесс зарождения и накопления повреждений начинается с ранних стадий ползучести. Однако на затухающей стадии появляются только единичные дефекты, которые не представляют опасности для эксплуатации. Заметное усиление процесса зарождения и развития повреждений происходит на ускоренной стадии ползучести, при этом закономерности роста повреждений определяются индивидуальными особенностями материала: в одних случаях происходит постепенное накопление дефектов ( см., например, рис. 3.22, кривая 2), в других заметные очаги повреждений появляются при исчерпании ресурса на 80 — 90 % и с очень интенсивным развитием повреждений вплоть до образования магистральных трещин ( рис. 3.22, кривая 7), в этом случае любыми методами трудно установить предельно допустимую поврежденность, не представляющую опасность и для дальнейшей эксплуатации.
 [34]

Благодаря энергии сцепления ассоциаты могут мигрировать как отдельные частицы. В этом процессе междоузельные молекулы воды могут выступать в роли замещающих другие молекулы, которые могут затем попасть в междоузлия. Описанные выше ассоциаты совмещают свойства единичных дефектов, из которых они построены. Так, они способны переносить кислород и водород и обусловливать переориентацию молекул воды. Поэтому они оказываются такими дефектами, которые могут быть использованы для объяснения наблюдаемой связи между диффузией и релаксацией. Однако на этот счет существуют некоторые возражения. Как мы видели, Грэнихер [59] предполагал, что изменение энтальпии образования междоузельных молекул воды равно — 0 7 эв. Разница в этих величинах объясняется главным образом силами отталкивания или, другими словами, пространственными затруднениями.
 [35]

Зависимость параметра н от величины внешних напряжений.
 [36]

В работе / 31 / приведены математические выражения для компонент, входящих в формулу (5.6), что дало основание не показьтать их в настоящем разделе в силу громоздкости. Однако графическая реализация результатов вычислений в виде зависимости параметра н от нагруженности сварного соединения ст, его геометрии и местоположения поры приведена на рис. 5.2. Последние два фактора характеризуются поправочной функцией F, которая находится путем сопоставления упругого решения для тел бесконечных и конечных размеров и для решений в упругой стадии работы при различных положениях поры в швах. В дальнейшем будут приведены расчетые формулы для определения F для единичных дефектов и цепочки пор.
 [37]

Зависимость параметра 4Н от величины внешних.
 [38]

В работе / 31 / приведены математические выражения для компонент, входящих в формулу (5.6), что дало основание не показывать их в настоящем разделе в силу громоздкости. Последние два фактора характеризуются поправочной функцией F, которая находится путем сопоставления упругого решения для тел бесконечных и конечных размеров и для решений в упругой стадии работы при различныхположенияхпорывшвах. В дальнейшем будут приведены расчетые формулы для определения F для единичных дефектов и цепочки пор. В условиях общей текучести ( рис. 5.2, б) влияние поправочной функции F на критические напряжения ст незначительно.
 [39]

Это рентгенографическое исследование показало, что нитевидные кристаллы одного размера могут весьма заметно отличаться по степени совершенства: имеются различия в количестве дефектов, их характере и расположении, что, вероятно, связано с неподдающимися учету случайностями роста кристалла, а также с возможной деформацией усов при манипулировании. Однако тенденция к повышению совершенства нитевидных кристаллов с уменьшением их размера безусловно имеет место. Если толстые кристаллы состоят из значительно разориентировэнных объемов ( субзерен), то кристаллы толщиной менее 10 мкм более совершенны либо содержат единичные дефекты в виде дислокаций.
 [40]

Особенности строения и тонкой структуры исследованных сплавов на разных стадиях синтеза проявляются в их физических свойствах. Удельное электросопротивление сплавов с содержанием бора до 3 % на первой стадии синтеза составляет — 0 1 — 2 5 ом см. Низкие значения удельного электросопротивления этих сплавов объясняются наличием в них свободного кремния. После второй стадии синтеза удельное сопротивление некоторых образцов этих сплавов возросло до 105 ом см. Возможно, повышение электросопротивления связано с образованием единичных дефектов в структуре и их закреплением в процессе вторичного горячего прессования и гомогенизации.
 [41]

Одним из важнейших требований, предъявляемых к искательным головкам, является постоянство интенсивности по всей площади излучателя. В ближней зоне прямого искателя интенсивность ультразвуковых волн меняется вдоль оси пучка, а также и по его сечению. Поэтому когда дефект расположен в ближней зоне, то он может быть и не обнаружен эхо-методом, если его местоположение приходится на минимум интенсивности ультразвука или единичный дефект может быть принят за совокупность дефектов из-за наличия нескольких максимумов интенсивности в ближней зоне.
 [42]

После отверждения клеевая прослойка ВК 1МС становится достаточно плотной и однородной, без признаков усадки. Однако в ряде случаев в клеевом слое возникают единичные газовые пузыри, как следствие, по-видимому, неполного удаления продуктов сгорания клея в зоне сварочного контакта при прохождении тока. Как показала проверка, эти единичные дефекты не нарушают герметичности клее-сварного соединения.
 [43]

Подход особенно пригоден для блоков памяти больших емкостей и может быть расширен для других типов ИС. Однако оценки избыточности, требующейся для произвольной логики, неутешительны. Например, мажорирование на транзисторном уровне приводит к 3 5-кратному усложнению схем. Даже большинство реальных методов нейтрализации единичных дефектов усложняет схему в 3 — 4 5 раза.
 [44]

Распространена ошибочная точка зрения на роль неметаллического покрытия. Считают, что покрытие защищает металл от коррозии, пока оно не повреждено и держится на металле. Это не так, коррозия металла начинается задолго до того, как покрытие разрушилось. С другой стороны, даже с появлением единичных дефектов ъ покрытии его защитные функции еще сохраняются. На практике лимитирующим фактором непригодности покрытия в большинстве случаев считают отслоение era от подложки и распространение дефекта.
 [45]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

Клиновидный дефект | Локализация и причины появления


Клиновидный дефект — патологическое состояние твердых тканей зуба. Название обусловлено формой дефекта, которая имеет вид клина. Образуется придесневой горизонтальной плоскостью и плоскостью, расположенной под острым углом, имеет V-образную форму. Может быть единичным и множественным, чаще располагается на симметричных зубах. Относится к заболеваниям некариозного происхождения.

Локализация и причины появления клиновидного дефекта


Клиновидный дефект можно наблюдать у шейки зуба (участок коронки непосредственно над десной), на фронтальных поверхностях. Нередко образуется после обнажения шейки зуба, что некоторыми специалистами расценивается как одно из клинических проявлений болезней пародонта. На самом деле подтверждение зависимости между этими двумя патологиями не установлено. Однако существует мнение, что у некоторых больных клиновидный дефект является симптомом ряда болезней пародонта, при которых наблюдается обнажение шеек зубов. С этими проблемами легко справиться стоматология у м речной вокзал.


Также широкое признание имеет точка зрения, что клиновидный дефект может возникать под воздействием механических нагрузок, в частности, в результате воздействия зубной щетки. Отчасти это предположение подтверждается тем фактом, что клиновидный дефект обычно наиболее выражен на клыках и премолярах (зубах, выступающих из зубного ряда). Многолетние наблюдения врачей свидетельствуют о том, что в большинстве случаев у лиц с более развитой правой рукой (правшей) наиболее выражены дефекты слева, так как они чистят зубы левой стороны более интенсивно. И, наоборот, у левшей клиновидные дефекты в основном выражены справа. Стиранию твердых тканей передних зубов также могут способствовать круговая мышца рта и сама пища в процессе жевания.


Возражением против теории механической абразии служат данные об обнаружении клиновидного дефекта у животных, а также у людей, не пользующихся щетками. Однако учитывая, что подавляющее большинство пациентов производят чистку зубов неправильно, возникновение клиновидного дефекта вследствие механического воздействия выходит на первое место среди прочих возможных причин патологии. Также более быстрому прогрессированию уже наступившего истирания тканей зуба у шейки могут служить пищевые кислоты, содержащиеся в продуктах питания.

Позвоните прямо сейчас

+7 (495) 215-58-10

Записаться к врачу

Симптомы клиновидного дефекта


В большинстве случаев клиновидный дефект не увеличивает чувствительность пораженного зуба и не приносит каких-либо существенных болевых ощущений. Болезненность при воздействии механических или температурных раздражителей возникает редко и обычно не является продолжительной (по крайней мере, на ранних стадиях заболевания). Помимо повышенной чувствительности в момент действия раздражителя, больные также могут жаловаться на эстетическую неполноценность внешнего вида зубов.


Патология прогрессирует достаточно медленно. Дефект восполняется за счет заместительного дентина. В тех случаях, когда процесс регенерации тканей происходит недостаточно интенсивно, и истирание эмали идет быстрее, чем процесс замещения, клиновидный дефект стабильно растет, что в итоге приводит к более серьезным последствиям — при глубоком дефекте под влиянием механической нагрузки может произойти раскол коронки зуба.

Диагностика клиновидного дефекта


Характерной особенностью клиновидного дефекта является его форма – выраженное клиновидное истирание твердых тканей, а также месторасположение — у шейки зуба в области непосредственно над десной. Начальные проявления заболевания выражаются в шероховатости и незначительной убыли тканей зуба.


Иногда клиновидный дефект тяжело отличить от таких заболеваний зубов, как кариес в начальной стадии и эрозия твердых тканей зуба. Основное отличие клиновидного дефекта от кариеса в начальной стадии заключается в реакции больного зуба на раздражители — для кариеса более характерна боль при воздействии химических факторов, при клиновидном дефекте болезненные ощущения могут иметь место при влиянии всех видов раздражителей.


Отличить клиновидный дефект от эрозии твердых тканей бывает сложнее, так как и при одном, и при другом заболевании убыль зубной ткани не сопровождается изменением ее структуры. Также оба заболевания могут характеризоваться повышением чувствительности твердых тканей к различным раздражителям. Главное отличие здесь – форма дефекта. Клиновидный дефект никогда не распространяется на всю поверхность стенки зуба, как это бывает при эрозиях и имеет четко выраженную V-образную форму.

Лечение клиновидного дефекта


На начальных стадиях заболевания врач может попробовать стабилизировать процесс и прекратить истирание тканей, используя препараты для реминерализации эмали, повышающие ее резистентность к неблагоприятным факторам. Со стороны пациента в этом случае также потребуется предпринять меры предосторожности для уменьшения механического воздействия на зубы – применять для чистки зубов щетки с мягкой щетиной, использовать фторсодержащие пасты, внимательно относится к технике чистки, избегать горизонтальных движений щеткой вдоль зубов и т.п. Выраженные дефекты твердых тканей потребуют более радикального лечения – установки пломбы, винира или протезирования при помощи коронок.


Не лишним будет, после устранения патологического состояния, посетить врача-ортопеда, так как первопричиной клиновидного дефекта зубов может оказаться неправильное расположение зубов, то есть нарушение прикуса. С большой долей вероятности, для исключения рецидива заболевания, а также предотвращения поражения других зубов пациенту понадобится ортопедическое лечение.

Позвоните прямо сейчас

+7 (495) 215-58-10

Записаться к врачу

О клинике

Ответственность персонала и доверие пациентов — вот что отличает нашу стоматологическую клинику. В нашей клинике пациент находит «своего» стоматолога и доверяет здоровье всей семьи, детей и рекомендует друзьям.

За 23 года успешной работы у нас сложился коллектив стоматологов, имеющих особое отношение к работе — это и высокая профессиональная компетенция, и стремление помочь человеку, обеспечить ему эффективное лечение, честно, комфортно и за разумную стоимость.

Все наши врачи — не просто дипломированные специалисты с большим опытом работы. Каждый врач-стоматолог в нашей клинике постоянно повышает квалификацию, осваивая новые стоматологические технологии и материалы.

Читать больше

Почему мы?


Более 12000
Довольных пациентов


23 года
Успешной работы


5 врачей
Высокая квалификация специалистов


Качество
По разумной цене

Сайт использует cookies и аналогичные технологии.
Узнать подробнее
Хорошо

Наблюдение однодефектного мемристора в атомном листе MoS2

  • Письмо
  • Опубликовано:
  • Сабан М. Гуз 1 ,
  • Ruijing GE 2 ,
  • PO-AN Chen 3 ,
  • Liangbo Liang 4 ,
  • Gavin E. Donnelly
    ORCID: orcid.org/0000-0002-8168-8673 5 ,
  • Вонхи Ко
    ORCID: orcid.org/0000-0002-6155-1485 4 ,
  • Фумин Хуан
    ORCID: orcid.org/0000-0001-6489-9818 5 ,
  • Мэн-Сюэ Чан
    ORCID: orcid.org/0000-0003-4789-6302 3 ,
  • Ан-Пин Ли
    ORCID: orcid.org/0000-0003-4400-7493 4 и
  • …
  • Деджи Акинванде
    ORCID: orcid.org/0000-0001-7133-5586 1,2  

Природа Нанотехнологии
том 16 , страницы 58–62 (2021)Процитировать эту статью

  • 12 тыс. обращений

  • 72 Цитаты

  • 304 Альтметрический

  • Сведения о показателях

Предметы

  • Материалы для устройств
  • Наноразмерные устройства
  • Двумерные материалы

Abstract

Энергонезависимое резистивное переключение, также известное как мемристор 1 эффект, при котором электрическое поле переключает состояния сопротивления двухконтактного устройства, стал важной концепцией при разработке систем хранения информации высокой плотности, вычислительных и реконфигурируемых систем 2,3,4,5,6 ,7,8,9 . Последнее десятилетие стало свидетелем значительных достижений в области энергонезависимых резистивных переключающих материалов, таких как оксиды металлов и твердые электролиты. Долгое время считалось, что токи утечки препятствуют наблюдению этого явления для изолирующих слоев нанометровой толщины. Однако недавнее открытие энергонезависимого резистивного переключения в двумерных монослоях дихалькогенида переходного металла 10,11 и гексагональные сэндвич-структуры из нитрида бора 12 (также известные как атомристоры) опровергли это мнение и добавили новое измерение материалов благодаря преимуществам масштабирования 10,13 . Здесь мы выясняем происхождение механизма переключения в атомарных листах, используя монослой MoS 2 в качестве модельной системы. Атомистическая визуализация и спектроскопия показывают, что замещение металлом вакансии серы приводит к нелетучему изменению сопротивления, что подтверждается компьютерными исследованиями структур дефектов и электронных состояний. Эти открытия обеспечивают атомистическое понимание энергонезависимого переключения и открывают новое направление в прецизионной инженерии дефектов, вплоть до одного дефекта, к созданию наименьшего мемристора для приложений в сверхплотной памяти, нейроморфных вычислениях и системах радиочастотной связи 2,3,11 .

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.

  • Контроль сульфуризации двумерного кристалла Mo2C для мемристора на основе Mo2C/MoS2 и искусственного синапса

    • Синь Тан
    • , Лейлей Ян
    •  … Сючунь Гуй

    npj Гибкая электроника
    Открытый доступ
    15 ноября 2022 г.

  • Мезоскопическая скользящая ферроэлектричество с фотоэлектрической памятью с произвольным доступом для системы искусственного зрения на материальном уровне

    • Ян Сунь
    • , Шутинг Сюй
    •  … Яо Го

    Связь с природой
    Открытый доступ
    14 сентября 2022 г.

  • Дефекты, вызванные электронным облучением, для повышения надежности однослойных устройств памяти с проводящими точками на основе MoS2

    • Сяохань Ву
    • , Юцянь Гу
    •  … Дежи Акинванде

    npj 2D-материалы и приложения
    Открытый доступ
    09 мая 2022 г.

Варианты доступа

Подписаться на журнал

Получить полный доступ к журналу на 1 год

118,99 €

всего 9,92 € за выпуск

Подписаться

Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.

Купить статью

Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.

32,00 $

Купить

Все цены указаны без учета стоимости.

Рис. 1: Характеристика материала. Рис. 2: Атомистическая характеристика MoS 2 монослои. Рис. 3: Атомистическое наблюдение последовательностей «установка-сброс» для дефектов V S2 . Рис. 4: Моделирование атомистических дефектов и спектральные расчеты для монослоя MoS 2 .

Доступность данных

Авторы заявляют, что основные данные, подтверждающие результаты этого исследования, доступны в письме и его дополнительной информации. Дополнительные данные можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу. Исходные данные приводятся вместе с настоящей статьей.

Ссылки

  1. «>

    Чуа, Л. Мемристор — недостающий элемент схемы. IEEE Trans. Теория цепей 18 , 507–519 (1971).

    Артикул

    Google ученый

  2. Вонг, Х.-С. П. и Салахуддин С. Память ведет к лучшим вычислениям. Нац. нанотехнологии. 10 , 191–194 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  3. Акинванде, Д. и др. Графен и двумерные материалы для кремниевой технологии. Природа 573 , 507–518 (2019).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  4. Воутерс, Д. Дж., Васер, Р. и Вуттиг, М. Память резистивного переключения на основе фазового перехода и окислительно-восстановительного потенциала. Проц. IEEE 103 , 1274–1288 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  5. «>

    Чжао Х. и др. Атомарно тонкое фемтоджоулевое мемристивное устройство. Доп. Матер. 29 , 1703232 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  6. Ван, М. и др. Надежные мемристоры на основе слоистых двумерных материалов. Нац. Электрон. 1 , 130–136 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  7. Сюй, Р. и др. Вертикальный двухслойный мемристор MoS 2 с электрохимической металлизацией в виде синапса атомного масштаба с порогами переключения, приближающимися к 100 мВ. Нано Летт. 19 , 2411–2417 (2019).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  8. Чжан, Ф. и др. Индуцированный электрическим полем структурный переход в вертикальном MoTe 2 — и Mo 1-x W x Te 2 — резистивная память. Нац. Матер. 18 , 55–61 (2019).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  9. Sangwan, V.K. et al. Перестраиваемые затвором мемристические явления, опосредованные границами зерен в однослойном MoS 2 . Нац. нанотехнологии. 10 , 403–406 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  10. Ge, R. et al. Атомристор: энергонезависимое переключение сопротивления в атомарных слоях дихалькогенидов переходных металлов. Нано Летт. 18 , 434–441 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  11. Ким, М. и др. Радиочастотные переключатели нулевой статической мощности на атомристорах MoS 2 . Нац. коммун. 9 , 2524 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  12. «>

    Ву, X. и др. Самая тонкая энергонезависимая память на основе однослойного h-BN. Доп. Матер. 31 , 1806790 (2019).

    Артикул

    Google ученый

  13. Ge, R. et al. Атомристоры: эффект памяти в атомарно-тонких листах и ​​рекордные ВЧ-переключатели. Проц. Международная встреча IEEE по электронным устройствам (IEDM) 22.6.1–22.6.4 (2018 г.).

  14. Валов И., Васер Р., Джеймсон Дж. Р. и Козицкий М. Н. Память электрохимической металлизации — основы, приложения, перспективы. Нанотехнологии 22 , 254003 (2011).

    Артикул

    Google ученый

  15. Velicky, M.J. et al. Механизм отслаивания с помощью золота сантиметровых монослоев дихалькогенидов переходных металлов. ACS Nano 12 , 10463–10472 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  16. «>

    Лю, З. и др. Неоднородность деформации и структуры в MoS 2 атомарные слои, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы. Нац. коммун. 5 , 5246 (2014).

    Артикул

    Google ученый

  17. Vancsó, P. et al. Собственная дефектная структура расслоенных одиночных слоев MoS 2 , выявленная с помощью сканирующей туннельной микроскопии. науч. Респ. 6 , 29726 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  18. Гонсалес С., Биль Б. и Даппе Ю. Дж. Теоретическая характеристика точечных дефектов монослоя MoS 2 с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Нанотехнологии 27 , 105702 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  19. Чжоу В. и др. Собственные структурные дефекты монослоя дисульфида молибдена. Нано Летт. 13 , 2615–2622 (2013).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  20. Чжан, К., Джонсон, А., Хсу, К.-Л., Ли, Л.-Дж. и Ши, К.-К. Прямая визуализация профиля зоны в однослойном MoS 2 на графите: энергетическая щель квазичастиц, металлические краевые состояния и изгиб краевых зон. Нано Летт. 14 , 2443–2447 (2014).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  21. Серенсен, С. Г., Фюхтбауэр, Х. Г., Таксен, А. К., Уолтон, А. С. и Лауритсен, Дж. В. Структура и электронные свойства синтезированного in situ однослойного MoS 2 на золотой поверхности. ACS Nano 8 , 6788–6796 (2014).

    Артикул

    Google ученый

  22. Zhou, X. et al. Периодическая модуляция уровня легирования полосатых надстроек MoS 2 . ACS Nano 10 , 3461–3468 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  23. Чиу, М.-Х. и другие. Определение выравнивания полос в однослойном MoS 2 /WSe 2 гетеропереход. Нац. коммун. 6 , 7666 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  24. Martinez-Castro, J. et al. Сканирующая туннельная микроскопия чувствительного к воздуху дихалькогенида через инкапсулирующий слой. Нано Летт. 18 , 6696–6702 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  25. Сонг, С. Х., Джу, М.-К., Нойманн, М., Ким, Х. и Ли, Ю. Х. Исследование динамики дефектов в монослое MoS 2 с помощью шумовой наноспектроскопии. Нац. коммун. 8 , 2121 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  26. «>

    Ко, В. и др. Индуцированная наконечником локальная деформация MoS 2 /графит, обнаруженная с помощью спектроскопии неупругого электронного туннелирования. Физ. B 97 , 125401 (2018 г.).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  27. Марион, И. Д. и др. Дефекты атомного масштаба и электронные свойства перенесенного синтезированного монослоя MoS 2 . Нанотехнологии 29 , 305703 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  28. Хонг, Дж. и др. Исследование атомных дефектов в монослоях дисульфида молибдена. Нац. коммун. 6 , 6293 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  29. Huang, J.L., Sung, Y.E. & Lieber, C.M. Индуцированная полем модификация поверхности в атомном масштабе с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Заяв. физ. лат. 61 , 1528–1530 (1992).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  30. Миральрио А., Кортес Э. Р. и Кастро М. Электронные свойства и повышенная реакционная способность MoS 2 монослои с замещающими атомами золота, внедренными в вакансии серы. Заяв. Серф. науч. 455 , 758–770 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  31. Lin, Y.C. et al. Свойства отдельных атомов легирующей примеси в однослойном MoS 2 : атомная структура, миграция и повышенная реакционная способность. Доп. Матер. 26 , 2857–2861 (2014).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  32. Ко, В., Ма, К., Нгуен, Г.Д., Колмер, М. и Ли, А.П. Манипуляции в атомном масштабе и характеристика in situ с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Доп. Функц. Матер. 29 , 1

    0 (2019).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  33. Scheer, E. et al. Признак химической валентности в электропроводности через одноатомный контакт. Природа 394 , 154–157 (1998).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  34. Крессе, Г. и Фуртмюллер, Дж. Эффективность вычислений полной энергии ab-initio для металлов и полупроводников с использованием базисного набора плоских волн. Вычисл. Матер. науч. 6 , 15–50 (1996).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  35. Пердью, Дж. П., Берк, К. и Эрнзерхоф, М. Упрощенное приближение обобщенного градиента. Физ. Преподобный Летт. 77 , 3865–3868 (1996).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  36. «>

    Терсофф Дж. и Хаманн Д. Р. Теория сканирующего туннельного микроскопа. Физ. Ред. B 31 , 805–813 (1985).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  37. Кон, В. и Шам, Л. Дж. Самосогласованные уравнения, включая эффекты обмена и корреляции. Физ. Ред. 140 , A1133–A1138 (1965).

    Артикул

    Google ученый

Загрузить ссылки

Благодарности

Эта работа была частично поддержана Президентской премией за раннюю карьеру для ученых и инженеров (PECASE) через Исследовательское бюро армии (W911NF-16-1-0277) и Национальный научный фонд грант (ECCS-1809017). С.М.Х. признает поддержку со стороны Программы сотрудничества США в области науки и техники. Помещения Центра динамики и контроля материалов: для характеристики материалов использовался Научно-исследовательский и инженерный центр материалов NSF (MRSEC). Часть этого исследования, включая СТМ, измерения переноса и моделирование СТМ, была проведена в Центре наук о нанофазных материалах в Национальной лаборатории Ок-Ридж, которая является учреждением пользователей Министерства энергетики США. Мы благодарим В. Р. Хендрена и Р. М. Боумена за помощь в нанесении металлической пленки.

Информация об авторе

Авторы и организации

  1. Электротехника и вычислительная техника, Техасский университет в Остине, Остин, Техас, США

    Сабан М. Хус и Деджи Акинванде

      2. 5 Университет материалов, Техасский институт Texas at Austin, Austin, TX, USA

      Ruijing Ge & Deji Akinwande

    • Институт микроэлектроники, факультет электротехники, Национальный университет Ченг Кунг, Тайнань, Тайвань

      Po-An Chen & Meng-Hsueh Chiang

    • Центр изучения нанофазных материалов, Национальная лаборатория Ок-Ридж, Ок-Ридж, Теннесси, США

      Лянбо Лян, Вонхи Ко и Ан-Пинг Ли

    • 4 Школа Математика и физика, Королевский университет Белфаста, Белфаст, Великобритания

      Gavin E. Donnelly & Fumin Huang

Авторы

  1. Saban M. Hus

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Академия

  2. Ruijing Ge

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  3. Po-An Chen

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  4. Liangbo Liang

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  5. Гэвин Э. Доннелли

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  6. Wonhee Ko

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  7. Fumin Huang

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  8. Meng-Hsueh Chiang

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  9. An-Ping Li

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  10. Deji Akinwande

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

Contributions

S. M.H. провели СТМ и транспортные измерения с помощью В.К. Р.Г. провели спектроскопию комбинационного рассеяния и измерения ФЛ. G.E.D. и FH приготовили крупномасштабный расслоенный монослой MoS 2 образцы. П.-А.К. и Л.Л. выполнили атомистическое моделирование. С.М.Х. и Д.А. инициировал исследования атомистических причин энергонезависимого переключения сопротивления в однослойных атомных листах. М.-Х.К., А.-П.Л. и Д.А. координировал и руководил исследованиями. Все авторы внесли свой вклад в статью на основе черновика, написанного С.М.Х. и Д.А.

Автор, ответственный за переписку

Деджи Акинванде.

Декларации этики

Конкурирующие интересы

Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Дополнительная информация

Информация о рецензировании Nature Nanotechnology благодарит Hyeon-Jin Shin и других анонимных рецензентов за их вклад в рецензирование этой работы.

Примечание издателя Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

Дополнительная информация

Дополнительная информация

Дополнительная информация Рис. 1–9.

Исходные данные

Исходные данные Рис. 1

Данные для Рис. 1c,d.

Исходные данные рис. 2

Данные для рис. 2c–f.

Исходные данные рис. 3

Данные для рис. 3b,d,f.

Исходные данные рис. 4

Данные для рис. 4a–d.

Права и разрешения

Перепечатка и разрешения

Об этой статье

Эта статья цитируется

  • 2D-материалы для гетерогенной электроники будущего

    • Макс К. Лемм
    • Деджи Акинванде
    • Кристоф Штампфер

    Природные коммуникации (2022)

  • Дефекты, вызванные электронным облучением, для повышения надежности однослойных устройств памяти с проводящими точками на основе MoS2

    • Сяохань Ву
    • Юцянь Гу
    • Дежи Акинванде

    npj 2D материалы и приложения (2022)

  • Мезоскопическая скользящая ферроэлектричество с фотоэлектрической памятью с произвольным доступом для системы искусственного зрения на материальном уровне

    • Ян Сун
    • Шутинг Сюй
    • Яо Го

    Nature Communications (2022)

  • Контроль сульфуризации двумерного кристалла Mo2C для мемристора на основе Mo2C/MoS2 и искусственного синапса

    • Синь Тан
    • Лейлей Ян
    • Сючунь Гуй

    npj Гибкая электроника (2022)

  • Однослойные дисульфидмолибденовые коммутаторы для систем связи 6G

    • Мёнсу Ким
    • Гийом Дюкурно
    • Деджи Акинванде

    Натур Электроникс (2022)

Однодефектные фононы, полученные электронной микроскопией

. 2021 Январь; 589 (7840): 65-69.

дои: 10.1038/s41586-020-03049-у.

Epub 2021 6 января.

Синсюй Ян
1

2
, Чэнъянь Лю
3

4
, Чайтанья А Гадре
3
 , Лэй Гу
3
 , Тосихиро Аоки
2
 , Трейси Лавджой
5
 , Никлас Деллби
5
 , Ондрей Л. Криванек
5
 , Даррелл Г. Шлом
6

7

8
, Руциан Ву
9
 , Сяоцин Пан
10

11

12

Принадлежности

  • 1 Факультет материаловедения и инженерии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 2 Ирвинский научно-исследовательский институт материалов, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 3 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 4 Ключевая лаборатория специальных функциональных материалов Министерства образования, Школа материаловедения и инженерии, Хэнаньский университет, Кайфэн, Китай.
  • 5 Nion R&D, Киркленд, Вашингтон, США.
  • 6 Факультет материаловедения и инженерии, Корнельский университет, Итака, штат Нью-Йорк, США.
  • 7 Институт нанотехнологий Кавли в Корнелле, Итака, штат Нью-Йорк, США.
  • 8 Лейбниц-Институт кристаллообразования, Берлин, Германия.
  • 9 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]
  • 10 Факультет материаловедения и инженерии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]
  • 11 Ирвинский научно-исследовательский институт материалов, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]
  • 12 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]

  • PMID:

    33408374

  • DOI:

    10. 1038/с41586-020-03049-у

Синсюй Ян и др.

Природа.

2021 янв.

. 2021 Январь; 589 (7840): 65-69.

doi: 10.1038/s41586-020-03049-y.

Epub 2021 6 января.

Авторы

Синсюй Ян
1

2
, Чэнъянь Лю
3

4
, Чайтанья А Гадре
3
 , Лэй Гу
3
 , Тосихиро Аоки
2
 , Трейси Лавджой
5
 , Никлас Деллби
5
 , Ондрей Л. Криванек
5
 , Даррелл Г Шлом
6

7

8
, Руциан Ву
9
 , Сяоцин Пан
10

11

12

Принадлежности

  • 1 Факультет материаловедения и инженерии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 2 Ирвинский научно-исследовательский институт материалов, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 3 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США.
  • 4 Ключевая лаборатория специальных функциональных материалов Министерства образования, Школа материаловедения и инженерии, Хэнаньский университет, Кайфэн, Китай.
  • 5 Nion R&D, Киркленд, Вашингтон, США.
  • 6 Факультет материаловедения и инженерии, Корнельский университет, Итака, штат Нью-Йорк, США.
  • 7 Институт нанотехнологий Кавли в Корнелле, Итака, штат Нью-Йорк, США.
  • 8 Лейбниц-Институт кристаллообразования, Берлин, Германия.
  • 9 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]
  • 10 Факультет материаловедения и инженерии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. xiaoqing. [email protected]
  • 11 Ирвинский научно-исследовательский институт материалов, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]
  • 12 Факультет физики и астрономии, Калифорнийский университет, Ирвин, Ирвин, Калифорния, США. [email protected]

  • PMID:

    33408374

  • DOI:

    10.1038/с41586-020-03049-у

Абстрактный

Кристаллические дефекты влияют на термические и теплопроводные свойства материалов, рассеивая фононы и изменяя фононные спектры 1-8 . Таким образом, чтобы понять, как дефекты в твердых телах влияют на теплопроводность и диффузию, важно понять взаимодействие фононов и дефектов. Для изучения таких взаимодействий доступны сложные теории, но экспериментальная проверка ограничена, поскольку большинство спектроскопических методов обнаружения фононов не достигают высокого пространственного разрешения, необходимого для разрешения локальных колебательных спектров вблизи отдельных дефектов. Здесь мы демонстрируем, что колебательная спектроскопия с пространственным и угловым разрешением в просвечивающем электронном микроскопе позволяет картировать колебательные спектры отдельных кристаллических дефектов. Мы обнаруживаем красное смещение в несколько миллиэлектронвольт в энергии мод акустических колебаний вблизи одиночного дефекта упаковки в кубическом карбиде кремния вместе с существенными изменениями их интенсивности и обнаруживаем, что эти изменения ограничиваются несколькими нанометрами дефекта упаковки. Эти наблюдения показывают, что возможности современного просвечивающего электронного микроскопа открывают двери для прямого картирования распространения фононов вокруг дефектов, что, как ожидается, послужит полезным руководством для разработки тепловых свойств материалов.

Похожие статьи

  • Наномасштабное изображение динамики фононов с помощью электронной микроскопии.

    Gadre CA, Yan X, Song Q, Li J, Gu L, Huyan H, Aoki T, Lee SW, Chen G, Wu R, Pan X.
    Gadre CA и соавт.
    Природа. 2022 июнь; 606 (7913): 292-297. doi: 10.1038/s41586-022-04736-8. Epub 2022 8 июня.
    Природа. 2022.

    PMID: 35676428
    Бесплатная статья ЧВК.

  • Картирование колебательных поверхностных и объемных мод в одном нанокубе.

    Лагос MJ, Trügler A, Hohenester U, Batson PE.
    Лагос М.Дж. и соавт.
    Природа. 2017 22 марта; 543 (7646): 529-532. дои: 10.1038/nature21699.
    Природа. 2017.

    PMID: 28332537

  • Тезисы презентаций на собрании Ассоциации ученых-клиницистов 143 rd Луисвилл, Кентукки, 11–14 мая 2022 г.

    [Нет авторов в списке]
    [Нет авторов в списке]
    Энн Клин Lab Sci. 2022 май; 52(3):511-525.
    Энн Клин Lab Sci. 2022.

    PMID: 35777803

  • Колебательная спектроскопия в электронном микроскопе.

    Криванек О.Л., Лавджой Т.К., Деллби Н., Аоки Т., Карпентер Р.В., Рез П., Суаньяр Э., Чжу Дж., Бэтсон П.Е., Лагос М.Дж., Эгертон Р.Ф., Крозье П.А.
    Криванек О.Л. и соавт.
    Природа. 2014 9 октября; 514 (7521): 209-12. дои: 10.1038/nature13870.
    Природа. 2014.

    PMID: 25297434

  • Достижения в области EELS сверхвысокого энергетического разрешения: фононы, инфракрасные плазмоны и сильно связанные моды.

    Лагос MJ, Bicket IC, Mousavi M SS, Botton GA.
    Лагос М.Дж. и соавт.
    Микроскопия (Oxf). 2022 18 февраля; 71 (Приложение_1): i174-i199. DOI: 10.1093/jmicro/dfab050.
    Микроскопия (Oxf). 2022.

    PMID: 35275180

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Наномасштабное изображение динамики фононов с помощью электронной микроскопии.

    Gadre CA, Yan X, Song Q, Li J, Gu L, Huyan H, Aoki T, Lee SW, Chen G, Wu R, Pan X.
    Gadre CA и соавт.
    Природа. 2022 июнь; 606 (7913): 292-297. doi: 10.1038/s41586-022-04736-8. Epub 2022 8 июня.
    Природа. 2022.

    PMID: 35676428
    Бесплатная статья ЧВК.

  • Нанокарта показывает, как интерфейсы препятствуют вибрациям.

    Хаге ФС.
    Хаге ФС.
    Природа. 2022 июнь; 606 (7913): 252-253. doi: 10.1038/d41586-022-01533-1.
    Природа. 2022.

    PMID: 35676426

    Аннотация недоступна.

  • Оптические возбуждения электронными пучками: проблемы и возможности.

    Гарсия де Абахо Ф.Дж., Ди Джулио В.
    Гарсия де Абахо Ф.Дж. и др.
    АСУ Фотоника. 2021 21 апреля; 8 (4): 945-974. doi: 10.1021/acsphotonics.0c01950. Epub 2021 25 марта.
    АСУ Фотоника. 2021.

    PMID: 35356759
    Бесплатная статья ЧВК.

    Обзор.

  • Изотопы отслеживаются в субнанометровом масштабе с помощью электронной спектроскопии.

    Хахтель Дж.А.
    Хахтел Дж.А.
    Природа. 2022 март; 603 (7899): 36-37. doi: 10.1038/d41586-022-00545-1.
    Природа. 2022.

    PMID: 35236970

    Аннотация недоступна.

  • Зондирование фононных мостиков гетерограниц в нитридных полупроводниках на атомном уровне.

    Li YH, Qi RS, Shi RC, Hu JN, Liu ZT, Sun YW, Li MQ, Li N, Song CL, Wang L, Hao ZB, Luo Y, Xue QK, Ma XC, Gao P.
    Ли Ю.Х. и др.
    Proc Natl Acad Sci USA. 2022 Feb 22;119(8):e2117027119. doi: 10.1073/pnas.2117027119.
    Proc Natl Acad Sci U S A. 2022.

    PMID: 35181607
    Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

использованная литература

    1. Крумхансл, Дж. А. Колебания решетки в твердых телах. Дж. Заявл. физ. 33, 307–319 (1962).

    1. Ли, М. Д. и соавт. Непертурбативная квантовая природа взаимодействия дислокаций с фононами. Нано Летт. 17, 1587–159 гг.4 (2017).

      —

      пабмед

    1. Уокер, К.

admin

admin

Популярное

Ваш комментарий будет первым

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *